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生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝

直徑與工差：25.4±0.4mm

摻雜類型：N型（摻磷 ， 砷 ， 銻） P型（摻硼）

晶向：<111><100>

電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制

工藝數據：平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、

                彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆                     粒度< 10 (for size >0.3μm)

用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜                做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、                            SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測                試 基底、分子束外延生長的基底、X射線分                     析晶體半導體

到目前為止，我們有多家公司，多所高校、科研所的長期客戶。包括：TCL集團股份有限公司，京東方科技集團股份有限公司，深圳市華星光電技術有限公司，武漢華星光電半導體顯示技術有限公司，應用材料（中國）有限公司，鵬翔飛控作動系統（西安）有限責任公司，廣東美的制冷設備有限公司，馬鞍山太時芯科技有限公司，山東科芯電子有限公司，湖南湘標新材料科技有限公司，北京嘉仕濤科技有限公司，蘇州甫一電子科技有限公司，營口尚能光電材料有限公司，上海東貝真空設備有限公司，北京世紀金光半導體有限公司，杭州纖納光電科技有限公司，蘇州愛彼光電材料有限公司，江西冠能光電材料有限公司，福建中科芯光電科技有限公司，蘇州原位芯片科技有限公司，洛陽市鼎晶電子材料有限公司，深圳市化試科技有限公司，清華大學，上海交通大學，哈爾濱工業大學，西安交通大學，中山大學，華中科技大學，廈門大學，北京航空航天大學，吉林大學，北京工業大學，蘇州大學，上海科技大學，黑龍江大學，中北大學等眾多的公司、高校和科研所。